El Govern ha aprobado la firma del convenio entre la Generalitat y el Estado para ejecutar el proyecto Innofab, el primer centro de investigación y desarrollo en Catalunya especializado en tecnología avanzada y prototipado de chips basados en semiconductores avanzados. Esta infraestructura, que se convertirá en uno de los pilares del ecosistema de innovación catalán, estará ubicada en el Parc de l'Alba, en Cerdanyola del Vallès. La operación para la nueva infraestructura representa una inversión total de 398 millones de euros, que se cofinanciarán con aportaciones de la Generalitat, que aportará 193 millones, del Gobierno, con 60 millones, y de un préstamo complementario de 145 millones. Esta inversión conjunta refleja la importancia estratégica que ambas administraciones otorgan al desarrollo de capacidades propias en el ámbito de los semiconductores.
El objetivo del convenio es establecer el marco de cooperación entre la Generalitat y el Estado para el desarrollo del proyecto. La ejecución se llevará a cabo a través de la Fundación Innofab, una entidad sin ánimo de lucro adscrita al sector público de la Generalitat, que será la responsable de gestionar las actuaciones necesarias para hacer realidad esta infraestructura. Por su parte, el Estado, mediante la Sociedad Española para la Transformación Tecnológica (SETT), contribuirá a la construcción y dotación del edificio que albergará el centro.
Esta colaboración público-privada entre las dos administraciones permitirá sumar esfuerzos y recursos para impulsar un proyecto de gran envergadura. El convenio tiene una vigencia inicial de cuatro años, prorrogables por otros cuatro, y prevé la creación de una comisión de seguimiento formada por representantes de ambas administraciones. Esta comisión velará por el correcto desarrollo del proyecto y estará presidida por una de las personas designadas en representación de la Generalitat, garantizando así el liderazgo catalán en la gestión de la infraestructura.
El estado de los trabajos previos
El pasado mes de diciembre, el Govern adjudicó la redacción del proyecto de ingeniería básico para la construcción de la infraestructura de Innofab al grupo IDP, por un importe de 2,6 millones de euros. Esta adjudicación supuso el primer paso concreto para avanzar en el desarrollo del centro. La propuesta, que deberá presentarse el próximo mes de abril, constituirá el punto de partida para elaborar el proyecto ejecutivo de las obras y el proyecto constructivo posterior, que se prevé adjudicar durante este mismo año. Este calendario refleja la voluntad de las administraciones implicadas de avanzar con celeridad en la materialización del proyecto.
El nuevo centro de Innofab contará con tres edificios diferenciados que sumarán una superficie construida de cerca de 22.000 metros cuadrados. El primero de ellos, denominado FAB, tendrá 10.600 metros cuadrados distribuidos en cuatro plantas y acogerá las instalaciones de producción y prototipado. El segundo edificio, destinado a oficinas y laboratorios, ofrecerá 7.300 metros cuadrados para la investigación y el trabajo de los equipos científicos y técnicos.
El tercero, un edificio auxiliar de servicios, completará el conjunto con 4.000 metros cuadrados adicionales. Una de las instalaciones más destacadas del centro será una sala blanca de más de 2.000 metros cuadrados, desde la cual se podrán escalar procesos de fabricación de chips en el ámbito industrial. Este espacio, que requiere condiciones ambientales controladas con extrema precisión, resultará fundamental para que los desarrollos tecnológicos puedan trasladarse del laboratorio a la producción a escala.
El objetivo de situar Catalunya entre las regiones líderes
Con esta operación, la Generalitat pretende que Innofab, en combinación con otras infraestructuras científicas ya existentes como el Sincrotrón Alba y el Barcelona Supercomputing Center (BSC), sitúe a Catalunya "entre las 50 regiones más innovadoras en semiconductores de la Unión Europea". Esta posición de vanguardia debería permitir atraer talento, emprendedores y empresas emergentes que trabajen en este campo estratégico para el desarrollo tecnológico futuro.
La creación de un ecosistema potente alrededor de los semiconductores se considera fundamental para reducir la dependencia europea de proveedores externos y para generar empleo cualificado y actividad económica de alto valor añadido. La ubicación de Innofab en el Parc de l'Alba, junto al Sincrotrón y al BSC, permitirá aprovechar sinergias y consolidar un distrito de la innovación de alcance internacional.
El plan para impulsar el sector de los semiconductores en Catalunya incluye, además de Innofab, otros dos proyectos complementarios que abordan diferentes aspectos de la cadena de valor. El primero de ellos es el proyecto DARE, liderado por el Barcelona Supercomputing Center, que desarrollará tecnología basada en la arquitectura abierta RISC-V para aplicaciones de alta computación e inteligencia artificial. Esta arquitectura abierta representa una alternativa a las soluciones propietarias dominantes en el mercado.
El segundo proyecto complementario es el PIXEurope, coordinado por el Instituto de Ciencias Fotónicas (ICFO), que tiene como objetivo "consolidar el liderazgo europeo" en circuitos fotónicos integrados. Esta tecnología, que utiliza la luz en lugar de la electricidad para procesar información, promete avances significativos en velocidad y eficiencia energética para aplicaciones de comunicación y computación. El conjunto de estas iniciativas sitúa a Catalunya en una posición privilegiada para aprovechar el impulso europeo a la investigación en semiconductores y para convertirse en un polo de atracción para empresas y talentos de todo el mundo interesados en este campo tecnológico de futuro.