El Govern ha aprovat la signatura del conveni entre la Generalitat i l'Estat per executar el projecte Innofab, el primer centre de recerca i desenvolupament a Catalunya especialitzat en tecnologia avançada i prototipatge de xips basats en semiconductors avançats. Aquesta infraestructura, que esdevindrà un dels pilars de l'ecosistema d'innovació català, estarà ubicada al Parc de l'Alba, a Cerdanyola del Vallès. L'operació per a la nova infraestructura representa una inversió total de 398 milions d'euros, que es cofinançaran amb aportacions de la Generalitat, que n'aportarà 193 milions, del govern espanyol, amb 60 milions, i d'un préstec complementari de 145 milions. Aquesta inversió conjunta reflecteix la importància estratègica que ambdues administracions atorguen al desenvolupament de capacitats pròpies en l'àmbit dels semiconductors.
L'objectiu del conveni és establir el marc de cooperació entre la Generalitat i l'Estat per al desenvolupament del projecte. L'execució es durà a terme a través de la Fundació Innofab, una entitat sense ànim de lucre adscrita al sector públic de la Generalitat, que serà la responsable de gestionar les actuacions necessàries per fer realitat aquesta infraestructura. Per la seva banda, l'Estat, mitjançant la Societat Espanyola per a la Transformació Tecnològica (SETT), contribuirà a la construcció i dotació de l'edifici que allotjarà el centre.
Aquesta col·laboració publicoprivada entre les dues administracions permetrà sumar esforços i recursos per impulsar un projecte de gran envergadura. El conveni té una vigència inicial de quatre anys, prorrogables per altres quatre, i preveu la creació d'una comissió de seguiment formada per representants d'ambdues administracions. Aquesta comissió vetllarà pel correcte desenvolupament del projecte i estarà presidida per una de les persones designades en representació de la Generalitat, garantint així el lideratge català en la gestió de la infraestructura.
L'estat dels treballs previs
El passat mes de desembre, el Govern va adjudicar la redacció del projecte d'enginyeria bàsic per a la construcció de la infraestructura d'Innofab al grup IDP, per un import de 2,6 milions d'euros. Aquesta adjudicació va suposar el primer pas concret per avançar en el desenvolupament del centre. La proposta, que haurà de presentar-se el pròxim mes d'abril, constituirà el punt de partida per elaborar el projecte executiu de les obres i el projecte constructiu posterior, que es preveu adjudicar durant aquest mateix any. Aquest calendari reflecteix la voluntat de les administracions implicades d'avançar amb celeritat en la materialització del projecte.
El nou centre d'Innofab comptarà amb tres edificis diferenciats que sumaran una superfície construïda de prop de 22.000 metres quadrats. El primer d'ells, denominat FAB, tindrà 10.600 metres quadrats distribuïts en quatre plantes i acollirà les instal·lacions de producció i prototipatge. El segon edifici, destinat a oficines i laboratoris, oferirà 7.300 metres quadrats per a la recerca i el treball dels equips científics i tècnics.
El tercer, un edifici auxiliar de serveis, completarà el conjunt amb 4.000 metres quadrats addicionals. Una de les instal·lacions més destacades del centre serà una sala blanca de més de 2.000 metres quadrats, des de la qual es podran escalar processos de fabricació de xips en l'àmbit industrial. Aquest espai, que requereix condicions ambientals controlades amb extrema precisió, resultarà fonamental perquè els desenvolupaments tecnològics puguin traslladar-se del laboratori a la producció a escala.
L'objectiu de situar Catalunya entre les regions capdavanteres
Amb aquesta operació, la Generalitat pretén que Innofab, en combinació amb altres infraestructures científiques ja existents com el Sincrotró Alba i el Barcelona Supercomputing Center (BSC), situï Catalunya "entre les 50 regions més innovadores en semiconductors de la Unió Europea". Aquesta posició d'avantguarda hauria de permetre atreure talent, emprenedors i empreses emergents que treballin en aquest camp estratègic per al desenvolupament tecnològic futur.
La creació d'un ecosistema potent al voltant dels semiconductors es considera fonamental per reduir la dependència europea de proveïdors externs i per generar ocupació qualificada i activitat econòmica d'alt valor afegit. La ubicació d'Innofab al Parc de l'Alba, a tocar del Sincrotró i del BSC, permetrà aprofitar sinergies i consolidar un districte de la innovació d'abast internacional.
El pla per impulsar el sector dels semiconductors a Catalunya inclou, a més d'Innofab, altres dos projectes complementaris que aborden diferents aspectes de la cadena de valor. El primer d'ells és el projecte DARE, liderat pel Barcelona Supercomputing Center, que desenvoluparà tecnologia basada en l'arquitectura oberta RISC-V per a aplicacions d'alta computació i intel·ligència artificial. Aquesta arquitectura oberta representa una alternativa a les solucions propietàries dominants en el mercat.
El segon projecte complementari és el PIXEurope, coordinat per l'Institut de Ciències Fotòniques (ICFO), que té com a objectiu "consolidar el lideratge europeu" en circuits fotònics integrats. Aquesta tecnologia, que utilitza la llum en lloc de l'electricitat per processar informació, promet avenços significatius en velocitat i eficiència energètica per a aplicacions de comunicació i computació. El conjunt d'aquestes iniciatives situa Catalunya en una posició privilegiada per aprofitar l'impuls europeu a la recerca en semiconductors i per esdevenir un pol d'atracció per a empreses i talents d'arreu del món interessats en aquest camp tecnològic de futur.