Aquest dilluns s’ha constituït el patronat de la Fundació InnoFAB, l’entitat sense ànim de lucre que forma part del sector públic de la Generalitat i que té per objectiu  la posada en marxa la nova infraestructura dedicada al prototipatge de semiconductors avançats de Catalunya.

El patronat està integrat pels consellers Núria Montserrat (en qualitat de presidenta, titular de Recerca i Universitats), Alícia Romero (Economia i Finances), Albert Dalmau (Presidència) i Miquel Sàmper (Empresa). L’organigrama estarà encapçalat per una comissió executiva amb cinc patrons designats pel patronat, a més de figures encarregades de la direcció i de la gerència. A més, es crearà un consell assessor format per investigadors de prestigi i competència reconeguda.

InnoFAB esdevindrà una peça clau del sistema català de coneixement com a primer centre de desenvolupament i prototipatge de micro i nanotecnologies basades en semiconductors avançats de Catalunya, segons indiquen en un comunicat. Amb un projecte tècnic liderat fins ara per l’ICN2, suposarà una inversió prevista de prop de 400 milions d’euros, que comptarà amb finançament europeu a través dels fons NextGenerationEU, i s’ubicarà al Parc de l’Alba, al costat del Sincrotró.

Tres edificis

El nou centre disposarà d’una sala blanca de 2.000 m² on es fabricaran prototips i petites sèries de semiconductors avançats amb aplicació en àmbits estratègics com ara l’electrònica, la salut o l’energia. A banda, comptarà amb tres edificis: el FAB (10.600 m² distribuïts en quatre plantes), un altre d’oficines i laboratoris (7.300 m²) i un auxiliar de serveis (4.000 m²). En total, representen una superfície construïda de prop de 22.000 m².

L’objectiu és consolidar Catalunya com un “nucli potent de disseny, desenvolupament i prototipatge de xips en l’àmbit de la Unió Europea”. Es preveu que generi 200 llocs de treball directes i esdevingui un referent en el sector dels semiconductors.

InnoFAB forma part de l’anomenat “trident Innovador” que preveu el Pla Catalunya Lidera per consolidar Catalunya com un referent europeu en innovació tecnològica i industrial, amb un èmfasi especial en el sector dels semiconductors. Juntament amb InnoFAB, el Pla preveu dos projectes més: el DARE, liderat pel Barcelona Supercomputing Center, que desenvoluparà tecnologia basada en l’arquitectura oberta RISC-V per a aplicacions d’alta computació i intel·ligència artificial; i el PIXEurope, coordinat per l’Institut de Ciències Fotòniques (ICFO), per consolidar el lideratge europeu en circuits fotònics integrats, amb aplicacions en sectors estratègics com les telecomunicacions i la salut.

El gener passat, el Govern de la Generalitat va adjudicar la redacció del projecte bàsic d’enginyeria per a la construcció de l’InnoFAB al grup IDP, per un import de 2,6 milions d’euros.