Este lunes se ha constituido el patronato de la Fundació InnoFAB, la entidad sin ánimo de lucro que forma parte del sector público de la Generalitat y que tiene por objetivo la puesta en marcha de la nueva infraestructura dedicada al prototipado de semiconductores avanzados de Catalunya.
El patronato está integrado por los consejeros Núria Montserrat (en calidad de presidenta, titular de Investigación y Universidades), Alícia Romero (Economía y Finanzas), Albert Dalmau (Presidencia) y Miquel Sàmper (Empresa). El organigrama estará encabezado por una comisión ejecutiva con cinco patronos designados por el patronato, además de figuras encargadas de la dirección y de la gerencia. Además, se creará un consejo asesor formado por investigadores de prestigio y competencia reconocida.
InnoFAB se convertirá en una pieza clave del sistema catalán de conocimiento como primer centro de desarrollo y prototipado de micro y nanotecnologías basadas en semiconductores avanzados de Catalunya, según indican en un comunicado. Con un proyecto técnico liderado hasta ahora por el ICN2, supondrá una inversión prevista de cerca de 400 millones de euros, que contará con financiación europea a través de los fondos NextGenerationEU, y se ubicará en el Parc de l’Alba, al lado del Sincrotrón.
El nuevo centro dispondrá de una sala blanca de 2.000 m² donde se fabricarán prototipos y pequeñas series de semiconductores avanzados con aplicación en ámbitos estratégicos como la electrónica, la salud o la energía. Además, contará con tres edificios: el FAB (10.600 m² distribuidos en cuatro plantas), otro de oficinas y laboratorios (7.300 m²) y uno auxiliar de servicios (4.000 m²). En total, representan una superficie construida de cerca de 22.000 m².
El objetivo es consolidar Catalunya como un “núcleo potente de diseño, desarrollo y prototipado de chips en el ámbito de la Unión Europea”. Se prevé que genere 200 puestos de trabajo directos y se convierta en un referente en el sector de los semiconductores.
InnoFAB forma parte del llamado “tridente Innovador” que prevé el Plan Catalunya Lidera para consolidar esta comunidad como un referente europeo en innovación tecnológica e industrial, con un énfasis especial en el sector de los semiconductores. Junto con InnoFAB, el Plan prevé dos proyectos más: el DARE, liderado por el Barcelona Supercomputing Center, que desarrollará tecnología basada en la arquitectura abierta RISC-V para aplicaciones de alta computación e inteligencia artificial; y el PIXEurope, coordinado por el Institut de Ciències Fotòniques (ICFO), para consolidar el liderazgo europeo en circuitos fotónicos integrados, con aplicaciones en sectores estratégicos como las telecomunicaciones y la salud.
El pasado enero, el Govern adjudicó la redacción del proyecto básico de ingeniería para la construcción del InnoFAB al grupo IDP, por un importe de 2,6 millones de euros.