La Generalitat ha adjudicado la redacción del proyecto de ingeniería básico para la construcción del primer centro de diseño, desarrollo y prototipado de chips de Catalunya por un importe de 2,6 millones de euros.
El nuevo espacio estará situado en el Parc de l’Alba, en Cerdanyola del Vallès, sobre una superficie de unos 22.000 metros cuadrados, en la cual se repartirán los tres edificios del nuevo centro. En total, se prevé una inversión de 400 millones de euros, que serán financiados parcialmente por los fondos europeos Next Generation.
Según ha avanzado el diario Ara, el Govern ha adjudicado la redacción del proyecto llamado InnoFAB al grupo de ingeniería ID, que en abril próximo deberá presentar su propuesta.
InnoFAB forma parte del Perte Chip y la European Chips Act. El Govern dio luz verde a este proyecto a principios de abril de 2025, con el objetivo de convertir Catalunya en “un actor clave” en el desarrollador de semiconductores avanzados.
El proyecto va destinado a ofrecer un entorno único para start-ups y empresas en el ámbito de los semiconductores, que potencie sus capacidades de fabricación y acelere la adopción de nuevas soluciones y productos para todos los sectores y tipos de empresa, incluyendo pymes y grandes corporaciones.
Por otro lado, los proyectos ejecutivo y constructivo de InnoFAB se deberían adjudicar en verano de 2026. El futuro centro está impulsado por los departamentos de Economía y Finanzas y el de Investigación y Universidades.