La Generalitat ha adjudicat la redacció del projecte d’enginyeria bàsic per a la construcció del primer centre de disseny, desenvolupament i prototipatge de xips de Catalunya per un import de 2,6 milions d'euros.
El nou espai estarà situat al Parc de l’Alba, a Cerdanyola del Vallès, sobre una superfície d’uns 22.000 metres quadrats, en la qual es repartiran els tres edificis del nou centre. En total, es preveu una inversió de 400 milions d’euros, que seran finançats parcialment pels fons Next Generation.
Segons ha avançat l’Ara, el Govern ha adjudicat la redacció del projecte anomenat InnoFAB al grup d'enginyeria ID, que l’abril vinent haurà de presentar la seva proposta.
InnoFAB foma part del Perte Xip i l'European Chips Act. El Govern va donar llum verda a aquest projecte a principis d’abril del 2025, amb l’objectiu de convertir Catalunya en “un actor clau” en el desenvolupador de semiconductors avançats.
El projecte va destinat a oferir un entorn únic per a start-ups i empreses en l'àmbit dels semiconductors, que potenciï les seves capacitats de fabricació i acceleri l'adopció de noves solucions i productes per a tots els sectors i tipus d'empresa, incloent-hi pimes i grans corporacions.
D’altra banda, els projectes executiu i constructiu d’InnoFAB s’haurien d’adjudicar a l’estiu del 2026. El futur centre està impulsat pels departaments d'Economia i Finances i el de Recerca i Universitats.